国家知识产权局信息数据显现，合肥晶合集成电路股份有限公司请求一项名为“具有沟槽栅的半导体器材及其构成办法”的专利，公开号CN 121013390 A，请求日期为2025年10月。

　　专利摘要显现，本发明供给一种具有沟槽栅的半导体器材及其构成办法，先履行榜首曝光工艺和榜首刻蚀工艺以构成沟槽的底部栅氧，接着构成单晶硅层，再履行第二曝光工艺和第二刻蚀工艺以构成沟槽，沟槽暴露出底部栅氧的顶外表，然后构成沟槽栅，沟槽栅坐落沟槽内且坐落底部栅氧上，其间，榜首曝光工艺和第二曝光工艺选用同一掩膜版，且第二光刻胶层与榜首光刻胶层的极性相反。本发明意想不到的作用是，能够更方便地完成对沟槽的底部栅氧厚度的操控，以及先构成沟槽的底部栅氧再构成单晶硅层和沟槽，避免了构成沟槽后高密度等离子体工艺导致底部栅氧易提早封口的问题，能够简化工艺难度，一起为小要害尺度的MOS器材供给了厚底部栅氧的或许，有助于进步器材密度。

　　天眼查资料显现，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，坐落合肥市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。经过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外出资了10家企业，参加招投标项目632次，产业线条，此外企业还具有行政许可22个。

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