我国电子科技集团（以下简称“我国电科”）今天在北京宣告，全球首条10英寸碳化硅（SiC）晶片生产线正式投产，标志着我国第三代半导体技能实现从资料、配备到工艺的全链条自主可控，完全打破国外对8英寸以上大尺度碳化硅晶片的技能独占。

　　此次发布的10英寸碳化硅晶片，选用我国电科2所自主研发的激光剥离技能和48所新式外延设备，霸占了晶圆翘曲度操控、掺杂浓度均匀性等世界级难题。测验多个方面数据显现，晶片厚度均匀性小于1.2%、外表丧命缺点低于0.2个/cm²，归纳良率打破90%，性能指标远超世界同种类型的产品。我国电科首席科学家李明浩表明：“从6英寸到10英寸，单位芯片本钱下降60%，单晶圆产出率提高120%，新能源轿车电机操控器等核心部件有望降价30%以上。”

　　跟着比亚迪、抱负轿车等20余家有突出贡献的公司签署第一批收购协议，10英寸碳化硅晶片将快速应用于新能源轿车、光伏逆变器和5G基站等范畴。职业分析师指出，这项技能打破使我国碳化硅器材产能提高至全球比例的35%，估计到2026年将带动超2000亿元工业链规划。抱负轿车CTO马东辉泄漏：“搭载国产10英寸碳化硅模块的纯电车型续航才能将打破800公里，快充时刻缩短至12分钟。”

　　值得重视的是，该生产线所自主研发，包括全球首台适配10英寸晶片的立式氧化炉和激光切割机。我国半导体职业协会多个方面数据显现，国产碳化硅设备市占率从2020年的缺乏15%跃升至现在的72%，设备交给周期较进口产品缩短6个月。

　　清华大学微电子所所长魏少军指出：“10英寸碳化硅晶片的量产，标志着我国在第三代半导体范畴从‘跟跑’转向‘领跑’。这项技能将重构全球功率半导体工业格式，为AI算力中心、6G通讯等未来工业奠定根底。”

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