金融界2024年12月26日音讯，国家知识产权局信息数据显现，湖南顶立科技股份有限公司请求一项名为“碳化硅单晶成长设备及其制备工艺”的专利，公开号 CN 119177495 A，请求日期为2024年11月。

　　专利摘要显现，本发明公开了一种碳化硅单晶成长设备，包含炉体、保温层、设置在保温层内的坩埚和电阻加热器，坩埚包含上坩埚和下坩埚，上下坩埚之间设有连通的气相运送管，气相运送管连通设置在上坩埚本体和下坩埚盖之间；电阻加热器包含设置在上坩埚四周的上加热体、设置鄙人坩埚四周的下加热体和设置在气相运送管四周的中心加热体。经过设置坩埚包含上坩埚和下坩埚，以及在上下坩埚之间设置气相运送管，使得在坩埚内密闭空间中坐落籽晶和碳化硅多晶质料之间的区域空间变得更小，不容易会发生温度梯度；同时下坩埚内存

　　在温差的各区域的气相碳化硅在气相运送管内充沛混合后构成一致温度的气相碳化硅，来确保了碳化硅单晶的质量。