金融界2024年12月26日音讯，国家知识产权局信息数据显现，湖南顶立科技股份有限公司请求一项名为“多料柱碳化硅单晶成长设备及其制备工艺”的专利，公开号CN 119177494 A，请求日期为2024年11月。

　　专利摘要显现，本发明公开了一种多料柱碳化硅单晶成长设备，包含设置在炉架上的炉体、保温层、坩埚组和电阻加热器，电阻加热器设置在坩埚组外圆周面的外侧；坩埚组包含圆周均布设置在电阻加热器中心方位的至少两套坩埚套件，以及驱动每套坩埚套件绕本身旋转轴旋转的自旋组织这样就能运用同一套加热设备就能对多个坩埚内加热，同步进行多个碳化硅单晶成长，来提升了出产功率、降低了制作本钱；全体设备更为紧凑，占有空间更小，所需求的工艺气体和升温动力也更少，然后更节约制作本钱；经过设置自旋组织驱动每套坩埚套件绕本身旋转轴旋转，使得每套坩埚套件均匀加热，进一步保证了碳化硅单晶成长的质量。本发明还公开了该设备的制备工艺。