金融界 2024 年 12 月 26 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，河北同光半导体股份有限公司请求一项名为“一种具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备办法和使用”的专利，揭露号 CN 119181634 A，请求日期为 2024 年 11 月。

　　专利摘要显现，本发明触及单晶柔性膜制作技术范畴，详细揭露一种具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备办法和使用。本发明供给的具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜的制备办法，顺次在 n 型碳化硅衬底外表同质外延成长 n‑型碳化硅层、n 型碳化硅层和 p 型碳化硅层，然后选用光电化学刻蚀的办法对制备的碳化硅外延片进行光电非物理性腐蚀，通过操控特定的光电刻蚀参数，完成了具有 p/n 结结构的碳化硅薄膜的高效剥离，且不会发生对剥离的碳化硅薄膜发生损害，剥离得到的碳化硅单晶柔性膜可作为柔性基底资料，在其基础上规划柔性芯片、柔性传感器等柔性光电子元器件，使用于可穿戴设备、柔性显现和柔性检测等范畴。